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CGD65B200S2-T13
부품 번호：
CGD65B200S2-T13
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Cambridge GaN Devices
설명：
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
포장：
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 5739
최소 : 1
수량
단가
가격
1
5.59
5.59
10
3.73
37.3
100
2.68
268
500
2.6
1300
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 공급업체 장치 패키지
    8-DFN (5x6)
  • FET 유형
    -
  • 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    650 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    8.5A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    9V, 20V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    280mOhm @ 600mA, 12V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4.2V @ 2.75mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    1.4 nC @ 12 V
  • Vgs (최대)
    +20V, -1V
  • FET 피처
    Current Sensing
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

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