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CGD65A130SH2
부품 번호：
CGD65A130SH2
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Cambridge GaN Devices
설명：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
포장：
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 5013
최소 : 1
수량
단가
가격
1
7.55
7.55
10
5.12
51.2
100
3.89
389
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    16-PowerVDFN
  • 공급업체 장치 패키지
    16-DFN (8x8)
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    650 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    12A
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    12V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    182mOhm @ 900mA, 12V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4.2V @ 4.2mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    1.9 nC @ 12 V
  • Vgs (최대)
    +20V, -1V
  • 전력 소산 (최대)
    -
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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