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C3M0065090J
부품 번호:
C3M0065090J
제품 분류:
제조업체:
설명:
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
포장:
Tube
ROHS 상태:
Yes
화폐:
USD
PDF:
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재고 1600
최소 : 1
수량
단가
가격
1
22.5
22.5
50
13.42
671
100
12.55
1255
500
11.63
5815
사양
  • 부품 상태
    Not For New Designs
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-263-7
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    900 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    15V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 20A, 15V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    3.5V @ 5mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    30 nC @ 15 V
  • Vgs (최대)
    +19V, -8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    660 pF @ 600 V
  • 전력 소산 (최대)
    113W (Tc)
  • FET 피처
    -