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C2M0280120D
부품 번호：
C2M0280120D
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Wolfspeed, Inc.
설명：
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 8523
최소 : 1
수량
단가
가격
1
12.95
12.95
30
7.77
233.1
120
6.64
796.8
510
5.8
2958
1020
5.7
5814
사양
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247-3
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    1200 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    20V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    370mOhm @ 6A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.8V @ 1.25mA (Typ)
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    20.4 nC @ 20 V
  • Vgs (최대)
    +25V, -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    259 pF @ 1000 V
  • 전력 소산 (최대)
    62.5W (Tc)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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