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C2M0025120D
부품 번호:
C2M0025120D
제품 분류:
제조업체:
설명:
SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
포장:
Tube
ROHS 상태:
Yes
화폐:
USD
PDF:
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재고 1809
최소 : 1
수량
단가
가격
1
101.24
101.24
30
78.53
2355.9
사양
  • 부품 상태
    Not For New Designs
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247-3
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    1200 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    20V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    34mOhm @ 50A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.4V @ 10mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    161 nC @ 20 V
  • Vgs (최대)
    +25V, -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2788 pF @ 1000 V
  • 전력 소산 (최대)
    463W (Tc)
  • FET 피처
    -