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AMTP65H150G4PS
부품 번호：
AMTP65H150G4PS
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Analog Power Inc.
설명：
GAN FET N-CH 650V TO-220
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 1601
최소 : 1
수량
단가
가격
1
6.61
6.61
50
5.28
264
100
4.72
472
500
4.17
2085
1000
3.75
3750
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    650 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    150mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    8 nC @ 6 V
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    598 pF @ 400 V
  • 전력 소산 (최대)
    300W (Tc)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
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