모음집 비교
2301H
부품 번호：
2301H
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Goford Semiconductor
설명：
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
포장：
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
지금 구매 카트에 추가
재고 4351
최소 : 1
수량
단가
가격
1
0.26
0.26
10
0.16
1.6
100
0.1
10
500
0.07
35
1000
0.06
60
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급업체 장치 패키지
    SOT-23-3
  • FET 유형
    P-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    30 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    2.8A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    75mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    4.5 nC @ 2.5 V
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    366 pF @ 15 V
  • 전력 소산 (최대)
    890mW (Tc)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

제출

비어 있어요