コレクション 比較
WI71060TR
部品番号:
WI71060TR
製品分類:
製造元:
説明:
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
ほうそう:
Cut Tape (CT)
ROHS状態:
Yes
通貨#ツウカ#:
USD
PDF:
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ストック 4098
最小 : 1
数量
単価
価格
1
7.06
7.06
10
5.44
54.4
25
5.04
126
100
4.59
459
250
4.38
1095
500
4.25
2125
1000
4.15
4150
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • グレード
    -
  • 認定
    -
  • 実装タイプ
    Surface Mount
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    8-LDFN Exposed Pad
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-PDFN (8x8)
  • FETタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
    700 V
  • 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
    30A (Tj)
  • 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
    6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 2A, 6V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    1.5V @ 10mA
  • ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
    7 nC @ 6 V
  • Vgs(最大)
    +6V, -4V
  • 入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
    216 pF @ 400 V
  • 最大消費電力
    -
  • FETフィーチャー
    -