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EPC2012
部品番号：
EPC2012
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
EPC
説明：
GANFET N-CH 200V 3A DIE
ほうそう：
Tape & Reel (TR)
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
PDF:
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ストック 1600
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仕様
  • 部品ステータス
    Discontinued at
  • グレード
    -
  • 認定
    -
  • 実装タイプ
    Surface Mount
  • 動作温度
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    Die
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    Die
  • FETタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
    200 V
  • 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 3A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
    1.8 nC @ 5 V
  • Vgs（最大）
    +6V, -5V
  • 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
    145 pF @ 100 V
  • 最大消費電力
    -
  • FETフィーチャー
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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