TPH3208LS

TPH3208LS

Numéro de pièce : TPH3208LS
Catégorie de produit : Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant : Transphorm
Description : GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Emballage : Tube
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
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Spécifications

  • Statut de la pièce Obsolete
  • Type de montage Surface Mount
  • Type de FET N-Channel
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V
  • FET Caractéristique -
  • Grade -
  • Qualification -
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 20A (Tc)
  • Tension Drain-Source (Vdss) 650 V
  • Dissipation de puissance (Max) 96W (Tc)
  • Vgs (Max) ±18V
  • Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 8 V
  • Fournisseur Dispositif Emballage 3-PQFN (8x8)
  • Boîtier 3-PowerDFN