TPH3202LD
Numéro de pièce :
TPH3202LD
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Transphorm
Description :
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
- Tension Drain-Source (Vdss) 600 V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 9A (Tc)
- Vgs (Max) ±18V
- Dissipation de puissance (Max) 65W (Tc)
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
- Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 5.5A, 8V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 480 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 4-PQFN (8x8)
- Boîtier 4-PowerDFN