S3M0025120N
Numéro de pièce :
S3M0025120N
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
SMC Diode Solutions
Description :
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2
Emballage :
Box
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
- Fournisseur Dispositif Emballage SOT-227
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 77A (Tc)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Dissipation de puissance (Max) 517W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20mA
- Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 18V
- Vgs (Max) +18V, -4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 48A, 18V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 18 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3519 pF @ 1000 V