RM12N650T2
Numéro de pièce :
RM12N650T2
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Rectron USA
Description :
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- FET Caractéristique -
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier TO-220-3
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-220-3
- Vgs (Max) ±30V
- Tension Drain-Source (Vdss) 650 V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 50 V
- Dissipation de puissance (Max) 101W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7A, 10V