RH7E04BBJFRATCB
Numéro de pièce :
RH7E04BBJFRATCB
Catégories de produits :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Description :
PCH -30V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Devise :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- FET Caractéristique -
- Grade Automotive
- Qualification AEC-Q101
- Type de FET P-Channel
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 4.5V, 10V
- Tension Drain-Source (Vdss) 30 V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 40A (Tc)
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
- Dissipation de puissance (Max) 75W (Tc)
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Boîtier 8-PowerTDFN
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 15 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (Max) +5V, -20V
- Fournisseur Dispositif Emballage DFN3333T8LSAB
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.2mA