RF9G120BLFRATCR
Numéro de pièce :
RF9G120BLFRATCR
Catégories de produits :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Description :
NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Devise :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) ±20V
- FET Caractéristique -
- Grade Automotive
- Qualification AEC-Q101
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Dissipation de puissance (Max) 23W (Tc)
- Tension Drain-Source (Vdss) 40 V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 6V, 10V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
- Boîtier 6-UDFN Exposed Pad
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 20 V
- Fournisseur Dispositif Emballage DFN2020Y7LSAA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 171µA