NXVF6532M3TG01

NXVF6532M3TG01

Numéro de pièce : NXVF6532M3TG01
Catégorie de produit : FET, Réseaux MOSFET
Fabricant : onsemi
Description : SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
Emballage : Tube
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Type de montage Through Hole
  • Statut de la pièce Active
  • FET Caractéristique -
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grade -
  • Qualification -
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 31A (Tc)
  • Configuration 4 N-Channel (Full Bridge)
  • Technologie Silicon Carbide (SiC)
  • Tension Drain-Source (Vdss) 650V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 7.5mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 18V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1215pF @ 400V
  • Puissance - Max 65.2W (Tj)
  • Boîtier 13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
  • Fournisseur Dispositif Emballage APM16