NH3T008MP120F2
Numéro de pièce :
NH3T008MP120F2
Catégorie de produit :
FET, Réseaux MOSFET
Fabricant :
NoMIS Power
Description :
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Fournisseur Dispositif Emballage -
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier Module
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 200A (Tc)
- Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)
- Technologie Silicon Carbide (SiC)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 530nC @ 20V