NC1M120C75RRNG
Numéro de pièce :
NC1M120C75RRNG
Catégories de produits :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
NovuSem
Description :
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Devise :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 46A (Tc)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 18V
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-263-7L
- Vgs (Max) +18V, -5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 5mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 20A, 18V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1402 pF @ 1000 V
- Dissipation de puissance (Max) 240W (Ta)
- Boîtier TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)