NC1M120C12WDCU
Numéro de pièce :
NC1M120C12WDCU
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
NovuSem
Description :
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Boîtier Die
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Fournisseur Dispositif Emballage Wafer
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 20V
- Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 214A (Tc)
- Vgs (Max) +22V, -8V
- Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40mA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8330 pF @ 1000 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 20V