N3T080MP120D
Numéro de pièce :
N3T080MP120D
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
NoMIS Power
Description :
1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier TO-247-3
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Dissipation de puissance (Max) 188W (Tc)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 20V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 38A
- Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 15A, 20V
- Vgs (Max) +20V, -5V
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-3L
- Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 15mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 20 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 896 pF @ 800 V