IV2Q12080T4Z
Numéro de pièce :
IV2Q12080T4Z
Catégories de produits :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Inventchip
Description :
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 80MOHM,
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Devise :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 41A (Tc)
- Dissipation de puissance (Max) 250W (Tc)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Boîtier TO-247-4
- Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 18V
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-4
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
- Vgs (Max) +20V, -5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 5mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 18 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1214 pF @ 800 V