ISC016N04NM7VATMA1
Numéro de pièce :
ISC016N04NM7VATMA1
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
ISC016N04NM7VATMA1
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) ±20V
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
- Tension Drain-Source (Vdss) 40 V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V, 15V
- Boîtier 8-PowerTDFN
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 20 V
- Fournisseur Dispositif Emballage PG-TDSON-8
- Dissipation de puissance (Max) 3W (Ta), 94W (Tc)
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 31A (Ta), 174A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.49mOhm @ 50A, 15V
- Vgs(th) (Max) @ Id 3.15V @ 35µA