IRFD9120
Numéro de pièce :
IRFD9120
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Vishay Siliconix
Description :
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Through Hole
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Tension Drain-Source (Vdss) 100 V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Max) ±20V
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Type de FET P-Channel
- Fournisseur Dispositif Emballage 4-HVMDIP
- Boîtier 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- Dissipation de puissance (Max) 1.3W (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V