IPP175N20NM6AKSA1
Numéro de pièce :
IPP175N20NM6AKSA1
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IPP175N20NM6AKSA1
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) ±20V
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier TO-220-3
- Tension Drain-Source (Vdss) 200 V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V, 15V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 105µA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 100 V
- Fournisseur Dispositif Emballage PG-TO220-3-U04
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 9.7A (Ta), 61A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 38A, 15V
- Dissipation de puissance (Max) 3.8W (Ta), 203W (Tc)