IMZA120R022M2HXKSA1
Numéro de pièce :
IMZA120R022M2HXKSA1
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IMZA120R022M2HXKSA1
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 80A (Tc)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Boîtier TO-247-4
- Dissipation de puissance (Max) 329W (Tc)
- Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (Max) +25V, -10V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 15V, 18V
- Fournisseur Dispositif Emballage PG-TO247-4-8
- Vgs(th) (Max) @ Id 5.1V @ 10.1mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 18 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 800 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 32A, 18V