GPI65030DFN

GPI65030DFN

Numéro de pièce : GPI65030DFN
Catégorie de produit : Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant : GaNPower
Description : GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Emballage : Tape & Reel (TR)
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Surface Mount
  • Type de FET N-Channel
  • FET Caractéristique -
  • Grade -
  • Qualification -
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Dissipation de puissance (Max) -
  • Tension Drain-Source (Vdss) 650 V
  • Boîtier Die
  • Fournisseur Dispositif Emballage Die
  • Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 30A
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 6V
  • Vgs (Max) +7.5V, -12V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.5mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 6 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 241 pF @ 400 V