GCMX080A120B2T1P
Numéro de pièce :
GCMX080A120B2T1P
Catégorie de produit :
FET, Réseaux MOSFET
Fabricant :
SemiQ
Description :
1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Fournisseur Dispositif Emballage -
- FET Caractéristique -
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier Module
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 29A (Tc)
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
- Technologie Silicon Carbide (SiC)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Configuration 6 N-Channel (Phase Leg)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 18V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 800V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 18V
- Puissance - Max 103W (Tc)