GCMX020A120B2T1P

GCMX020A120B2T1P

Numéro de pièce : GCMX020A120B2T1P
Catégorie de produit : FET, Réseaux MOSFET
Fabricant : SemiQ
Description : 1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Emballage : Tray
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Fournisseur Dispositif Emballage -
  • FET Caractéristique -
  • Grade -
  • Qualification -
  • Boîtier Module
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 30A (Tc)
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • Technologie Silicon Carbide (SiC)
  • Tension Drain-Source (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 40A, 18V
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 18V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 800V
  • Puissance - Max 263W (Tc)