GA100JT17-227
Numéro de pièce :
GA100JT17-227
Catégories de produits :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
Description :
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Devise :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Chassis Mount
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Vgs(th) (Max) @ Id -
- Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
- Fournisseur Dispositif Emballage SOT-227
- Type de FET -
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 160A (Tc)
- Vgs (Max) -
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) -
- Tension Drain-Source (Vdss) 1700 V
- Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 100A
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 800 V
- Dissipation de puissance (Max) 535W (Tc)