G3F65MT12K

G3F65MT12K

Numéro de pièce : G3F65MT12K
Catégories de produits : Transistors FET simples, MOSFETs
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
Description : 1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Emballage : Tube
Statut ROHS : Oui
Devise : USD
PDF : Documents
  • Type de montage Through Hole
  • Statut de la pièce Active
  • Type de FET N-Channel
  • FET Caractéristique -
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grade Automotive
  • Qualification AEC-Q101
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 35A (Tc)
  • Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
  • Boîtier TO-247-4
  • Dissipation de puissance (Max) 153W (Tc)
  • Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 18V
  • Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-4
  • Vgs (Max) +22V, -10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 10mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 18 V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 86mOhm @ 15A, 18V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1298 pF @ 800 V

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