G3F65MT12K
Numéro de pièce :
G3F65MT12K
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
Description :
1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade Automotive
- Qualification AEC-Q101
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Boîtier TO-247-4
- Dissipation de puissance (Max) 153W (Tc)
- Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 18V
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-4
- Vgs (Max) +22V, -10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 10mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 18 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 86mOhm @ 15A, 18V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1298 pF @ 800 V