G3F33MT06K
Numéro de pièce :
G3F33MT06K
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
Description :
650V 27M TO-247-4 G3F SIC MOSFET
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade Automotive
- Qualification AEC-Q101
- Tension Drain-Source (Vdss) 650 V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 74A (Tc)
- Dissipation de puissance (Max) 227W (Tc)
- Boîtier TO-247-4
- Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-4
- Vgs (Max) +22V, -10V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 15V, 18V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 18 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 26A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 12mA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2394 pF @ 400 V