G3F25MT12J-TR
Numéro de pièce :
G3F25MT12J-TR
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
Description :
1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade Automotive
- Qualification AEC-Q101
- Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-263-7
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 87A (Tc)
- Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 18V
- Vgs (Max) +22V, -10V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 18 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 34A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 24mA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3325 pF @ 800 V
- Dissipation de puissance (Max) 362W (Tc)