FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Numéro de pièce :
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Catégorie de produit :
FET, Réseaux MOSFET
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Fournisseur Dispositif Emballage -
- FET Caractéristique -
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier Module
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance - Max -
- Technologie Silicon Carbide (SiC)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 40A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 50A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5.15V @ 20mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 149nC @ 18V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 800V
- Configuration 6 N-Channel (Three Phase Inverter)