FQD7P20TM
Numéro de pièce :
FQD7P20TM
Catégories de produits :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
onsemi
Description :
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Devise :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V
- FET Caractéristique -
- Grade -
- Qualification -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de FET P-Channel
- Tension Drain-Source (Vdss) 200 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V
- Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Vgs (Max) ±30V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 5.7A (Tc)
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-252AA
- Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.85A, 10V