FQD12N20TM
Numéro de pièce :
FQD12N20TM
Catégories de produits :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
onsemi
Description :
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Devise :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V
- FET Caractéristique -
- Grade -
- Qualification -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tension Drain-Source (Vdss) 200 V
- Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs (Max) ±30V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 9A (Tc)
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-252AA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V
- Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V