ECB2R8M12YM3
Numéro de pièce :
ECB2R8M12YM3
Catégorie de produit :
FET, Réseaux MOSFET
Fabricant :
Wolfspeed, Inc.
Description :
SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,
Emballage :
Box
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Fournisseur Dispositif Emballage -
- FET Caractéristique -
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier Module
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technologie Silicon Carbide (SiC)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 450A, 15V
- Configuration 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 545A
- Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 125mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 1272nC @ 15V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 38500pF @ 800V
- Puissance - Max 1.485kW (Tj)