CMS120N007WH
Numéro de pièce :
CMS120N007WH
Catégories de produits :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Bruckewell
Description :
SIC N-MOSFET,1200V,160A,TO-247HC
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Oui
Devise :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 160A (Tc)
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Dissipation de puissance (Max) 750W (Tc)
- Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 18V, 20V
- Vgs (Max) -10V, +20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 20V
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247HC-4L
- Boîtier TO-247-4L