CGD65B200S2-T13
Numéro de pièce :
CGD65B200S2-T13
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Cambridge GaN Devices
Description :
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Grade -
- Qualification -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tension Drain-Source (Vdss) 650 V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
- Type de FET -
- Fournisseur Dispositif Emballage 8-DFN (5x6)
- Boîtier 8-PowerVDFN
- FET Caractéristique Current Sensing
- Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Max) +20V, -1V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 9V, 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 600mA, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.2V @ 2.75mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 12 V