CGD65A130SH2
Numéro de pièce :
CGD65A130SH2
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Cambridge GaN Devices
Description :
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Grade -
- Qualification -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Dissipation de puissance (Max) -
- Tension Drain-Source (Vdss) 650 V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 12V
- Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 12A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 182mOhm @ 900mA, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.2V @ 4.2mA
- Vgs (Max) +20V, -1V
- Fournisseur Dispositif Emballage 16-DFN (8x8)
- Boîtier 16-PowerVDFN
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 1.9 nC @ 12 V