CAB3R5M12DM4

CAB3R5M12DM4

Numéro de pièce : CAB3R5M12DM4
Catégorie de produit : FET, Réseaux MOSFET
Fabricant : Wolfspeed, Inc.
Description : SIC MODULE
Emballage : Box
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Fournisseur Dispositif Emballage -
  • FET Caractéristique -
  • Grade -
  • Qualification -
  • Boîtier Module
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Technologie Silicon Carbide (SiC)
  • Tension Drain-Source (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 383A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 311A, 15V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 81mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 1044nC @ 15V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 29000pF @ 800V
  • Puissance - Max 980W (Tc)