C3M0280090D

C3M0280090D

Numéro de pièce : C3M0280090D
Catégories de produits : Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant : Wolfspeed, Inc.
Description : SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Emballage : Tube
Statut ROHS : Oui
Devise : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Statut de la pièce Obsolete
  • Type de montage Through Hole
  • Type de FET N-Channel
  • FET Caractéristique -
  • Grade -
  • Qualification -
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier TO-247-3
  • Tension Drain-Source (Vdss) 900 V
  • Dissipation de puissance (Max) 54W (Tc)
  • Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-3
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
  • Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 15V
  • Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs (Max) +18V, -8V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 15V
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 15 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 600 V