Transistores Bipolares Individuales (19569)

Los transistores bipolares de unión discretos (BJT) se utilizan habitualmente para implementar funciones de amplificación de señales analógicas en aplicaciones de audio, radio y otros campos. Entre los primeros dispositivos semiconductoros producidos en masa, sus características resultan menos adecuadas que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que requieren conmutación a alta frecuencia o funcionamiento con corrientes o tensiones elevadas; sin embargo, siguen siendo la tecnología de elección en aplicaciones que exigen la reproducción de señales analógicas con niveles mínimos de ruido y distorsión adicionales. Los BJT se presentan en dos variantes —NPN y PNP—, que corresponden a la secuencia de capas semiconductoras que constituyen el transistor. Los transistores NPN están formados por una delgada capa de semiconductor tipo P situada entre dos materiales de tipo N, mientras que los transistores PNP disponen de un semiconductor tipo N entre dos capas de tipo P. Esto confiere a ambos tipos un modo de operación de polaridad opuesta: los transistores NPN absorben corriente, mientras que los transistores PNP la suministran.