TW048U65C,RQ
Número de pieza:
TW048U65C,RQ
Clasificación de productos:
Transistores FET individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 39A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 132W (Tc)
- Temperatura de Operación 175°C
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (Máx.) +25V, -10V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLL
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 41 nC @ 18 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 1.6mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1362 pF @ 400 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 71mOhm @ 20A, 18V