G3F33MT06K

G3F33MT06K

Número de pieza: G3F33MT06K
Categoría de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: 650V 27M TO-247-4 G3F SIC MOSFET
Embalaje: Tube
Estado ROHS: Sí
Moneda: USD
PDF: Datos
  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 74A (Tc)
  • Disipación de Potencia (Máx.) 227W (Tc)
  • Paquete / Carcasa TO-247-4
  • Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
  • Vgs (Máx.) +22V, -10V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 81 nC @ 18 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 38mOhm @ 26A, 18V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 12mA
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2394 pF @ 400 V

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¿Cómo solicito una cotización por número de pieza?

Abra la página del modelo y compruebe la marca, el encapsulado y las especificaciones eléctricas frente a su necesidad, y después envíe la consulta. Indique el número de pieza, la cantidad y el plazo objetivo. Para varias líneas, use la coincidencia BOM y liste cada pieza una sola vez.

¿Ofrecen coincidencia de BOM?

Sí. Envíe los números de pieza, las cantidades y las marcas. Comprobamos circuitos integrados, resistencias, condensadores e inductores frente al stock actual y respondemos con la cantidad que se puede entregar y las líneas que hay que pedir.

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