ECB2R1M12YM3
Número de pieza:
ECB2R1M12YM3
Clasificación de productos:
FET, Matrices MOSFET
Fabricante:
Wolfspeed, Inc.
Descripción:
SIC, MODULE, 2.1M, 1200V, 152MM,
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Configuración 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 700A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 550A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 167mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1696nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 51300pF @ 800V
- Potencia - Máx 1.852kW