CGD65B240SH2
Número de pieza:
CGD65B240SH2
Clasificación de productos:
Transistores FET individuales, MOSFETs
Fabricante:
Cambridge GaN Devices
Descripción:
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Disipación de Potencia (Máx.) -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 7A
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (5x6)
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 12V
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Máx.) +20V, -1V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 336mOhm @ 500mA, 12V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.2V @ 2.3mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.2 nC @ 12 V