جمع مقارنة
IV2Q06060T4Z
رقم الجزء:
IV2Q06060T4Z
صانع:
وصف:
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 60MOHM,
التعبئة:
Tube
بنفايات الدولة:
Yes
نقود:
USD
شراء على الفور إضافة إلى عربة التسوق
جرد 1660
الحد الأدنى : 1
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
8.99
8.99
10
6.15
61.5
100
4.55
455
500
4
2000
مواصفة
  • حالة القطعة
    Active
  • نوع التثبيت
    Through Hole
  • درجة حرارة التشغيل
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة
    TO-247-4
  • المورد الجهاز الحزمة
    TO-247-4
  • نوع FET
    N-Channel
  • تكنولوجيا
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
    650 V
  • التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
    50A (Tc)
  • جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
    18V
  • Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
    53mOhm @ 15A, 18V
  • Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
    4.5V @ 5mA
  • شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
    64 nC @ 18 V
  • Vgs (الحد الأقصى)
    +20V, -5V
  • السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
    1218 pF @ 600 V
  • استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
    174W (Tc)
  • ميزة FET
    -