جمع مقارنة
EPC2015
رقم الجزء:
EPC2015
صانع:
وصف:
GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
التعبئة:
Tape & Reel (TR)
بنفايات الدولة:
Yes
نقود:
USD
PDF:
رفق إضافة إلى طلب قائمة
جرد 1600
الرجاء ارسال استفسار وسنقوم بالرد فورا
استفسار سريع
مواصفة
  • حالة القطعة
    Discontinued at
  • الصف
    -
  • التأهيل
    -
  • نوع التثبيت
    Surface Mount
  • درجة حرارة التشغيل
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة
    Die
  • المورد الجهاز الحزمة
    Die
  • نوع FET
    N-Channel
  • تكنولوجيا
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
    40 V
  • التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
    33A (Ta)
  • جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
    5V
  • Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
    4mOhm @ 33A, 5V
  • Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
    2.5V @ 9mA
  • شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
    11.6 nC @ 5 V
  • Vgs (الحد الأقصى)
    +6V, -5V
  • السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
    1200 pF @ 20 V
  • استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
    -
  • ميزة FET
    -