NC1M120C75RRNG

NC1M120C75RRNG

Номер детали: NC1M120C75RRNG
Производитель: NovuSem
Описание: SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Спецификации

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 46A (Tc)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
  • Технология SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V
  • Поставщик Устройство Корпус TO-263-7L
  • Vgs (макс.) +18V, -5V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.3V @ 5mA
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 75mOhm @ 20A, 18V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1402 pF @ 1000 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 240W (Ta)
  • Корпус TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)