G3F45MT06K
Номер детали:
G3F45MT06K
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Описание:
650V 40M TO-247-4 G3F SIC MOSFET
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 167W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 52A (Tc)
- Корпус TO-247-4
- Технология SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Поставщик Устройство Корпус TO-247-4
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1640 pF @ 400 V
- Vgs (макс.) +22V, -10V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.3V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 55 nC @ 18 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V